您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

IKY50N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKY50N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKY50N120CH7XKSA
Price: 33.67 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IKY50N120CH7XKSA

制造商编号：

IKY50N120CH7XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package

数据表:

IKY50N120CH7XKSA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IKY50N120CH7XKSA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
系列:	IGBT7 H7
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKY50N120CH7 SP005578295

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IKY50N120CH7XKSA1 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

IGBT7分立器件

英飞凌IGBT7分立器件是第7代TRENCHSTOP™ IGBT，采用微型沟槽技术制造。其先进技术可实现无与伦比的控制与性能，从而在应用中显著降低损耗、提高效率，同时增加功率密度。

650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管

英飞凌650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立式晶体管采用先进技术，可满足高能效应用的需求。英飞凌650晶体管采用尖端微沟槽设计，实现精准控制与高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。

1200V沟槽式TRENCHSTOP IGBT7 H7分立晶体管

英飞凌1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7分立式晶体管是第七代1200V TRENCHSTOP™ IGBT，采用微沟槽技术设计。这些分立式IGBT具有高度的可控性、低导通损耗、低开关损耗、改进的EMI性能以及在恶劣环境下的湿度耐受性。IGBT7 H7分立式晶体管支持选择低栅极电阻器（低至5Ω），同时保持出色的开关特性。这些晶体管用于快速EV充电、工业加热和焊接以及不间断电源（UPS）应用。