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IMZA65R107M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R107M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R107M1HXKS
Price: 47.29 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IMZA65R107M1HXKS

制造商编号：

IMZA65R107M1HXKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IMZA65R107M1HXKSA1 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥53.4377	¥53.44
	¥32.5101	¥325.10
	¥28.8715	¥2,887.15
	¥28.4534	¥13,657.63
	¥26.7132	¥32,055.84

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说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:

新产品: 此制造商的新产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	142 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.7 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	75 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	6.4 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	7.4 ns
系列:	IMZA65R107
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	12.2 ns
典型接通延迟时间:	6.6 ns
零件号别名:	IMZA65R107M1H SP005398435
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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