IPA95R450PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPA95R450PFD7XKS
IPA95R450PFD7XKSA1

制造商:

说明:
MOSFET LOW POWER_NEW

ECAD模型:
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库存量: 490

库存:
490 可立即发货
生产周期:
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.4192 ¥22.42
¥11.0853 ¥110.85
¥10.17 ¥1,017.00
¥8.1812 ¥4,090.60
¥7.0173 ¥7,017.30
¥6.7687 ¥33,843.50

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
950 V
7.2 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.7 ns
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IPA95R450PFD7 SP005547011
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用,具有同类最佳的性能,非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管,可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。