IPB95R310PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB95R310PFD7ATM
IPB95R310PFD7ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET LOW POWER_NEW

数据表:
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库存量: 1,995

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥28.7811 ¥28.78
¥18.7806 ¥187.81
¥13.1532 ¥1,315.32
¥11.413 ¥5,706.50
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥10.6672 ¥10,667.20

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
17.5 A
310 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: SP005547008
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用，具有同类最佳的性能，非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管，可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。

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