IPB95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB95R450PFD7ATM
IPB95R450PFD7ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET LOW POWER_NEW

数据表:
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生产周期：
19
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.216 ¥26.22
¥17.0404 ¥170.40
¥12.4865 ¥1,248.65
¥10.509 ¥5,254.50
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥9.9214 ¥9,921.40
¥7.9213 ¥15,842.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
13.3 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.7 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IPB95R450PFD7 SP005547014
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用，具有同类最佳的性能，非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管，可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。

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