IPD048N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD048N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-PD048N06L3GATMA1
Price: 13.32 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-PD048N06L3GATMA1

制造商编号：

IPD048N06L3GATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET 60V

数据表:

IPD048N06L3GATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IPD048N06L3GATMA1详情

库存量: 5,863

库存：: 5,863 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥15.0516	¥15.05
	¥9.8423	¥98.42
	¥6.6105	¥661.05
	¥5.2319	¥2,615.95
	¥4.8251	¥4,825.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥4.181	¥10,452.50
	¥3.9437	¥19,718.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	90 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	115 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	125 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
系列:	XPD048N06
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	56 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
零件号别名:	IPD048N06L3 G SP005559924

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IPD048N06L3GATMA1 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET采用SuperSO8无引线封装，具有低导通电阻。OptiMOS 3 MOSFET在工业、消费和电信应用中将功率密度提高到50%。OptiMOS™ 3采用40V、60V和80V N沟道MOSFET，采用SuperSO8和热缩SuperSO8 (S3O8) 封装。与标准晶体管外形 (TO) 封装相比，SuperSO8将功率密度提高了50%。