IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies
726-PD048N06L3GATMA1
IPD048N06L3GATMA1

制造商：

说明：
MOSFET IFX FET 60V

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies IPD048N06L3GATMA1详情

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
4.8 mOhms
20 V
1.2 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 125 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: XPD048N06
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: IPD048N06L3 G SP005559924
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET采用SuperSO8无引线封装，具有低导通电阻。OptiMOS 3 MOSFET在工业、消费和电信应用中将功率密度提高到50%。OptiMOS™ 3采用40V、60V和80V N沟道MOSFET，采用SuperSO8和热缩SuperSO8 (S3O8) 封装。与标准晶体管外形 (TO) 封装相比，SuperSO8将功率密度提高了50%。

库存量: 2,643

库存：
2,643
可立即发货
在途量:
2,500
预期 2026/10/8
生产周期：
32
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥20.4304 ¥20.43
¥9.9214 ¥99.21
¥8.9383 ¥893.83
¥7.119 ¥3,559.50
¥6.893 ¥6,893.00
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥6.1133 ¥15,283.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。