IPD220N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD220N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD220N06L3GATM1
Price: 9.74 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPD220N06L3GATM1

制造商编号：

IPD220N06L3GATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET 60V

数据表:

IPD220N06L3GATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	36 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	16 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
零件号别名:	IPD220N06L3 G SP005559927

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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最少： 1 倍数： 1

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥11.0062	¥11.01
	¥5.1076	¥51.08
	¥4.5426	¥454.26
	¥3.5369	¥1,768.45
	¥3.4578	¥3,457.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.938	¥7,345.00
	¥2.6668	¥13,334.00
	¥2.5877	¥25,877.00

IPD220N06L3GATMA1

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