IPD220N06L3GATMA1

Infineon Technologies
726-IPD220N06L3GATM1
IPD220N06L3GATMA1

制造商：

说明：
MOSFET IFX FET 60V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 713

库存：
713
可立即发货
在途量:
5,000
预期 2026/8/27
生产周期：
16
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥12.3283 ¥12.33
¥7.6275 ¥76.28
¥5.0285 ¥502.85
¥3.9324 ¥1,966.20
¥3.4578 ¥3,457.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.0058 ¥7,514.50
¥2.7459 ¥13,729.50
¥2.6329 ¥26,329.00
¥2.5086 ¥62,715.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
30 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
7 nC
- 55 C
+ 175 C
36 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: IPD220N06L3 G SP005559927
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET采用SuperSO8无引线封装，具有低导通电阻。OptiMOS 3 MOSFET在工业、消费和电信应用中将功率密度提高到50%。OptiMOS™ 3采用40V、60V和80V N沟道MOSFET，采用SuperSO8和热缩SuperSO8 (S3O8) 封装。与标准晶体管外形 (TO) 封装相比，SuperSO8将功率密度提高了50%。

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