IPT030N12N3GATMA1

Name: Infineon IPT030N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT030N12N3GATM1
Price: 44.21 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPT030N12N3GATM1

制造商编号：

IPT030N12N3GATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >100-150V

数据表:

IPT030N12N3GATMA1 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥49.9573	¥49.96
	¥35.5724	¥355.72
	¥25.8092	¥2,580.92
	¥25.0634	¥25,063.40
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥21.0067	¥42,013.40
10,000	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	237 A
Rds On-漏源导通电阻:	3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	158 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
零件号别名:	IPT030N12N3 G SP005348026

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET采用SuperSO8无引线封装，具有低导通电阻。OptiMOS 3 MOSFET在工业、消费和电信应用中将功率密度提高到50%。OptiMOS™ 3采用40V、60V和80V N沟道MOSFET，采用SuperSO8和热缩SuperSO8 (S3O8) 封装。与标准晶体管外形 (TO) 封装相比，SuperSO8将功率密度提高了50%。