IPW95R310PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R310PFD7XKS
IPW95R310PFD7XKSA1

制造商:

说明:
MOSFET LOW POWER_NEW

ECAD模型:
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1,200
预期 2026/3/6
生产周期:
13
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥28.3743 ¥28.37
¥15.4697 ¥154.70
¥12.656 ¥1,265.60
¥10.8367 ¥5,201.62

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
17.5 A
310 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: SP005547006
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用,具有同类最佳的性能,非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管,可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。