IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH46NE2LM7UCGS
Price: 33.53 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IQEH46NE2LM7UCGS

制造商编号：

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-WHTFN-9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	440 A
Rds On-漏源导通电阻:	460 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	27 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	4.4 ns
正向跨导 - 最小值:	55 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2 ns
工厂包装数量:	6000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
零件号别名:	SP005964802

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数据表

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥37.8889	¥37.89
	¥19.436	¥194.36
	¥17.6167	¥1,761.67
	¥15.0516	¥7,525.80
	¥14.4753	¥36,188.25
整卷卷轴（请按6000的倍数订购）
	¥14.1476	¥84,885.60

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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