您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH84NE2LM7UCGA
Price: 16.91 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IQEH84NE2LM7UCGA

制造商编号：

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IQEH84NE2LM7UCGATMA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	275 A
Rds On-漏源导通电阻:	840 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	17.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	107 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	2.4 ns
正向跨导 - 最小值:	50 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
系列:	OptiMOS 7
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	18 ns
典型接通延迟时间:	5.1 ns
零件号别名:	IQEH84NE2LM7UCG SP005960138

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET的性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能等领域提供最佳性能。该系列MOSFET适用于硬开关和软开关拓扑结构。硬开关优化型器件具有出色的米勒比率、FOM和R_DS(on)。软开关优化型MOSFET具有超低R_DS(on)和FOMQ_g。

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管，专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻，以及优异的米勒比率，耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对软硬开关拓扑结构以及FOM_oss进行了优化。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试，并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准，不含卤素。

特色产品

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET

先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。

了解更多的信息

OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET

凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。

了解更多的信息

OptiMOS™ 8功率MOSFET

N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（R_DS(ON)）。

了解更多的信息

N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET

80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。

了解更多的信息

库存量: 4,948

库存：: 4,948 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥19.1083	¥19.11
	¥12.3283	¥123.28
	¥8.3507	¥835.07
	¥6.6218	¥3,310.90
	¥6.4071	¥6,407.10
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥5.537	¥27,685.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

规格

文件 (1)

数据表

产品与贸易合规

更多信息

N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

客户还购买了

特色产品 INFINEON

库存量: 4,948

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

特色产品

INFINEON