IRF540ZPBF

Infineon Technologies
942-IRF540ZPBF
IRF540ZPBF

制造商:

说明:
MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 3,898

库存:
3,898
可立即发货
在途量:
2,000
预期 2026/3/18
17,000
预期 2026/4/2
生产周期:
17
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5.7065 ¥5.71
¥4.8703 ¥48.70
¥4.5426 ¥454.26
¥4.1132 ¥2,056.60
¥3.7177 ¥3,717.70
¥3.5821 ¥17,910.50
¥3.503 ¥87,575.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
36 A
26.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
92 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET

International Rectifier IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET 采用先进工艺,实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优点再加上快速的开关速度、坚固的器件设计及 HEXFET 功率 MOSFET 著名的 175°C 工作结温,为设计人员提供了极为高效和可靠的器件,适用于广泛的应用。
了解更多