IS66WV1M16EBLL-70BLI

Name: ISSI IS66WV1M16EBLL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WV1M16EBLL70BLI
Price: 53.44 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-WV1M16EBLL70BLI

制造商编号：

IS66WV1M16EBLL-70BLI

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo 静态随机存取存储器

数据表:

IS66WV1M16EBLL-70BLI 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥60.3872	¥60.39
	¥56.2514	¥562.51
	¥54.5112	¥1,362.78
	¥52.0252	¥2,601.26
	¥50.7822	¥5,078.22
	¥50.0477	¥12,511.93
	¥48.8047	¥23,426.26
	¥38.1375	¥36,612.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	16 Mbit
组织:	1 M x 16
访问时间:	70 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.5 V
电源电流—最大值:	28 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS66WV1M16EBLL
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage
单位重量:	86 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.