IS66WV51216EBLL-55TLI

ISSI
870-66WV512EBLL55TLI
IS66WV51216EBLL-55TLI

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 8Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Async 512Kx16 55ns

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库存量: 1,733

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¥-.--
总价:
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥31.7643 ¥31.76
¥29.6173 ¥296.17
¥28.702 ¥717.55

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
8 Mbit
512 k x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.5 V
28 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: IS66WV51216EBLL
工厂包装数量: 135
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 2.870 g
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已选择的属性: 0

数据表

Models

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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