IS66WVC4M16EALL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC4M16EALL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV4M16EA70BLI
Price: 50.51 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-66WV4M16EA70BLI

制造商编号：

IS66WVC4M16EALL-7010BLI

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器 64Mb

数据表:

IS66WVC4M16EALL-7010BLI 数据表 (PDF)

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥57.0763	¥57.08
	¥53.0196	¥530.20
	¥51.7766	¥1,294.42
	¥51.4489	¥2,572.45
	¥50.9517	¥5,095.17

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	64 Mbit
组织:	4 M x 16
访问时间:	70 ns
最大时钟频率:	104 MHz
电源电压-最大:	1.95 V
电源电压-最小:	1.7 V
电源电流—最大值:	30 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VFBGA-54
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS66WVC4M16EALL
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	PSRAM (Pseudo SRAM)
单位重量:	86 mg

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数据表

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KRHTS:: 8542321020
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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.