IS66WVR4M8ALL-104NLI

ISSI
870-6WVR4M8ALL104NLI
IS66WVR4M8ALL-104NLI

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

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¥-.--
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¥31.0185 ¥31.02

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
32 Mbit
8 bit
104 MHz
SOIC-8
4 M x 8
7 ns
1.65 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 100
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 15 mA
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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