ISC019N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N08NM7ATMA
Price: 25.99 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-ISC019N08NM7ATMA

制造商编号：

ISC019N08NM7ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

寿命周期:

新产品:

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数据表:

ISC019N08NM7ATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	209 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
Qg-栅极电荷:	60 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	7.5 ns
正向跨导 - 最小值:	70 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.3 ns
系列:	OptiMOS 7
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
零件号别名:	ISC019N08NM7 SP006166279

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数据表

ISC019N08NM7ATMA1 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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数量	单价	总价
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	¥11.4921	¥5,746.05
	¥11.0853	¥11,085.30
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥10.0118	¥50,059.00

ISC019N08NM7ATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

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