ISC040N10NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC040N10NM7ATMA
ISC040N10NM7ATMA1

制造商:

说明:
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

寿命周期:
新产品:
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ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
130 A
4 mOhms
20 V
3.2 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.4 ns
正向跨导 - 最小值: 55 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.3 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17.2 ns
典型接通延迟时间: 9.4 ns
零件号别名: ISC040N10NM7 SP006167253
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
奥地利
发货时,国家/地区可能会发生变化。

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管,专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻,以及优异的米勒比率,耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对软硬开关拓扑结构以及FOMoss进行了优化。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试,并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准,不含卤素。

库存量: 5,436

库存:
5,436 可立即发货
生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥25.9674 ¥25.97
¥13.1532 ¥131.53
¥11.5825 ¥1,158.25
¥9.3451 ¥4,672.55
¥9.0174 ¥9,017.40
¥8.8479 ¥22,119.75
整卷卷轴(请按5000的倍数订购)
¥8.0795 ¥40,397.50