ISC104N12LM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC104N12LM6ATMA
ISC104N12LM6ATMA1

制造商:

说明:
MOSFET IFX FET >100-150V

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 11,872

库存:
11,872 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥14.8934 ¥14.89
¥11.0853 ¥110.85
¥8.6897 ¥868.97
¥7.3789 ¥3,689.45
¥7.0512 ¥7,051.20
¥7.0399 ¥17,599.75
整卷卷轴(请按5000的倍数订购)
¥6.328 ¥31,640.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
63 A
10.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
10.4 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2.5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
零件号别名: ISC104N12LM6 SP005586043
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件,性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术,显著提升了性能。与同类产品相比,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30%,并针对同步整流进行了优化。

OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET采用SuperSO8无引线封装,具有低导通电阻。OptiMOS 3 MOSFET在工业、消费和电信应用中将功率密度提高到50%。OptiMOS™ 3采用40V、60V和80V N沟道MOSFET,采用SuperSO8和热缩SuperSO8 (S3O8) 封装。与标准晶体管外形 (TO) 封装相比,SuperSO8将功率密度提高了50%。