ISC300N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC300N20NM6ATMA
ISC300N20NM6ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 696

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.8036 ¥26.80
¥17.4585 ¥174.59
¥13.4018 ¥1,340.18
¥11.1644 ¥5,582.20
¥10.3395 ¥10,339.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥8.7688 ¥43,844.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
44 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 22 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
系列: OptiMOS 6
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
零件号别名: ISC300N20NM6 SP006070094
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET是一款N沟道正常电平MOSFET，提供PG-TO263-3、PG-TO220-3和PG-HDSOP-16封装选项。此系列MOSFET具有优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM)、极低反向恢复电荷 (Qrr) 和低导通电阻RDS(on) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET可在175°C温度下工作。这些MOSFET符合IEC61249‑2‑21规定的无卤素要求，根据J‑STD-020标准分类潮湿敏感度等级为 (MSL 1) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET非常适合可再生能源、电机控制、音频放大器和工业应用。

OptiMOS™ 6功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件，性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术，显著提升了性能。与同类产品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并针对同步整流进行了优化。

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