IXFH54N65X3

IXYS
747-IXFH54N65X3
IXFH54N65X3

制造商:

说明:
MOSFET TO247 650V 54A N-CH X3CLASS

ECAD模型:
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库存量: 625

库存:
625 可立即发货
生产周期:
41 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥106.785 ¥106.79
¥66.4214 ¥664.21
¥60.7149 ¥7,285.79
¥59.1442 ¥60,327.08

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
MOSFETs
TO-247-3
- 55 C
+ 150 C
Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 23 S
Id-连续漏极电流: 54 A
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 625 W
Qg-栅极电荷: 49 nC
Rds On-漏源导通电阻: 59 mOhms
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.2 V
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

X3级HiPerFET™功率MOSFET

IXYS X3级HiPerFET™功率MOSFET是N沟道、增强模式、耐雪崩MOSFET。X3级器件具有高功率密度,易于安装,采用节省空间的封装。IXYS X3级MOSFET非常适合用于开关模式和谐振模式电源。