IXYX110N120A4

IXYS
747-IXYX110N120A4
IXYX110N120A4

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1200V 110A GENX4

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库存量: 207

库存:
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¥-.--
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数量 单价
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¥219.0279 ¥219.03
¥140.8658 ¥1,408.66
¥133.4191 ¥16,010.29

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.8 V
- 20 V, 20 V
375 A
1.36 kW
- 55 C
+ 175 C
Trench
Tube
商标: IXYS
集电极最大连续电流 Ic: 900 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
商标名: XPT
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXYx110N120A4 1200 V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT是优化实现了超低导通损耗VCE(sat) 的高增益IGBT,用于高达5kHz的开关频率。薄晶圆技术和改进的工艺实现了低栅极电荷QG,因此要求低栅极电流。高增益提高了浪涌电流能力,而VCE(sat) 的正向热系数简化了并联。Rth(j-c)的低热阻简化了与热相关的设计问题。

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IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

非公路电动汽车解决方案

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