KTDM4G3C818BGIEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGIEAT
Price: 243.39 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

473-M4G3C818BGIEAT

制造商编号：

KTDM4G3C818BGIEAT

制造商：

SMARTsemi

说明：

动态随机存取存储器动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

数据表:

KTDM4G3C818BGIEAT 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SMART
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR3L
存储容量:	4 Gbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	933 MHz
封装 / 箱体:	FBGA-78
组织:	512 M x 8
电源电压-最小:	1.283 V
电源电压-最大:	1.575 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封装:	Tray
商标:	SMARTsemi
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	210
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.