LF21064NTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF21064NTR
LF21064NTR

制造商：

说明：
栅极驱动器 HI LO Side DRVR 130mA SOIC(N)-14

数据表:
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供货情况

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24 周 预计工厂生产时间。
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.9325 ¥14,831.25

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-14
2 Driver
2 Output
10 V
20 V
100 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
商标: IXYS Integrated Circuits
逻辑类型: CMOS, TTL
最大关闭延迟时间: 280 ns
最大开启延迟时间: 300 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 120 uA
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 30 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
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已选择的属性: 0

数据表

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USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

高侧与低侧栅极驱动器IC

IXYS高侧与低侧栅极驱动器IC具有600mA/290mA至4.5A/4.5A灌/拉输出电流能力。该器件具有10V至20V宽工作电压范围。保护特性包括欠压闭锁 (UVLO) 和击穿保护。IXYS高侧和低侧栅极驱动器IC的工作温度范围为-40°C至+125°C，采用SOIC-8、-14、-16行业标准封装和引脚分配。

N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器

IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器包括高压高速栅极驱动器和三相栅极驱动器IC。这些设备设计用于驱动半桥配置或高压侧/低压侧配置的两个N通道MOSFET或IGBT。高压技术能够实现高压侧在全推力运转期间切换到600V。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，用于最大限度地减少驱动器交叉传导。其他功能包括3.3V逻辑输入能力，施密特触发逻辑输入和欠压锁定(UVLO)保护。IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器具有-40°C至+125°C扩展工作温度范围。

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