MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

制造商:

说明:
栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD模型:
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库存量: 501

库存:
501 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥74.1958 ¥74.20
¥52.8501 ¥528.50
¥50.4545 ¥1,261.36
¥43.844 ¥4,384.40
¥41.8552 ¥10,463.80
¥38.2166 ¥19,108.30
¥33.8322 ¥33,832.20
¥32.7587 ¥81,896.75

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
商标: STMicroelectronics
开发套件: EVALMASTERGAN1
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 680 uA
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 1560
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 120 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。