MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

制造商：

说明：
栅极驱动器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
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数据表:
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库存量: 1,274

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥59.0538 ¥59.05
¥45.5729 ¥455.73
¥42.2733 ¥1,056.83
¥38.5443 ¥3,854.43
¥36.725 ¥9,181.25
¥35.6515 ¥17,825.75
¥34.8266 ¥34,826.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥33.6627 ¥100,988.10

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
商标: STMicroelectronics
最大关闭延迟时间: 45 ns
最大开启延迟时间: 45 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 10 A
Pd-功率耗散: 40 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 70 ns
Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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