MASTERGAN3TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN3TR
MASTERGAN3TR

制造商：

说明：
栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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库存量: 461

库存：
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26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于461的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥42.7592 ¥42.76
¥37.968 ¥379.68
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥31.0185 ¥93,055.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A, 6.5 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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