MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

制造商：

说明：
栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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数据表:
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库存量: 115

库存：
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26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于115的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥94.129 ¥94.13
¥72.4556 ¥724.56
¥67.7435 ¥1,693.59
¥61.4607 ¥6,146.07
¥58.647 ¥14,661.75
¥56.3305 ¥28,165.25
¥52.0252 ¥52,025.20
2,500 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
商标: STMicroelectronics
特点: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
输入电压 - 最大值: 15 V
输入电压 - 最小值: 3.3 V
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 225 mOhms
工厂包装数量: 1560
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 150 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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