MASTERGAN6TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN6TR
MASTERGAN6TR

制造商：

说明：
栅极驱动器 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver
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库存量: 295

库存：
295 可立即发货
生产周期：
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥71.0544 ¥71.05
¥55.0875 ¥550.88
¥51.1212 ¥1,278.03
¥46.6464 ¥4,664.64
¥44.5785 ¥11,144.63
¥42.0247 ¥21,012.35
¥41.0303 ¥41,030.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥39.5387 ¥118,616.10
6,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-35
1 Output
9 V
18 V
4 ns
4 ns
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN6
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
开发套件: EVLMG6
最大关闭延迟时间: 70 ns
最大开启延迟时间: 70 ns
湿度敏感性: Yes
空闲时间—最大值: 70 ns
Pd-功率耗散: 20 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 105 ns
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 194 mg
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
新加坡
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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