MR0A08BMA35R

Everspin Technologies
936-MR0A08BMA35R
MR0A08BMA35R

制造商：

说明：
磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

数据表:
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¥-.--
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产品属性 属性值 选择属性
Everspin Technologies
产品种类: 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:  
BGA-48
Parallel
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
25 mA, 55 mA
0 C
+ 70 C
MR0A08B
Reel
商标: Everspin Technologies
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
Pd-功率耗散: 600 mW
产品类型: MRAM
工厂包装数量: 2000
子类别: Memory & Data Storage
商标名: Parallel I/O (x8)
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance. 

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