NTMT061N60S5H

Name: onsemi NTMT061N60S5H
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT061N60S5H
Price: 66.54 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMT061N60S5H

制造商编号：

NTMT061N60S5H

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SF5 600V FAST 61MOHM FOR

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTMT061N60S5H 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDFN-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	41 A
Rds On-漏源导通电阻:	61 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	73.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	2.62 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.64 ns
系列:	NTMT061N60S5H
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	76.1 ns
典型接通延迟时间:	21.6 ns

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数据表

NTMT061N60S5H 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® V MOSFET

安森美SuperFET^® V MOSFET是第五代高压超级结（SJ）MOSFET。这些器件具有同类最佳的品质因数（FOM）（R_DS(ON)· Q_G 和R_{DS (ON)}· E_OSS)，不仅可提高重负载，还可提高轻负载效率。600V SuperFET V MOSFET通过降低导通和开关损耗提供设计优势，同时支持极端MOSFET dV_DS/dt额定值（120V/ns)。SuperFET V MOSFET快速系列有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。SuperFET V MOSFET Easy Drive系列兼具出色的开关性能，同时又不牺牲硬开关和软开关拓扑的易用性。典型应用包括电信、云系统和工业。