NTP7D3N15MC

Name: onsemi NTP7D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP7D3N15MC
Price: 45.82 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

863-NTP7D3N15MC

制造商编号：

NTP7D3N15MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 150V N-FET TO220

数据表:

NTP7D3N15MC 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	101 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	53 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	166 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTP7D3N15MC
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors

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数据表

NTP7D3N15MC 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道器件，具有经过优化的开关性能。该MOSFET具有低反向恢复电荷 (Qrr) 和软体二极管，可实现出色的低噪声开关。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET具有高效率、较低开关尖峰和电磁干扰 (EMI)。它们提高了开关品质因数 (FOM)。典型应用包括用于ATX/服务器/电信电源单元 (PSU) 的同步整流、电机驱动器、不间断电源 (UPS) 和微型太阳能逆变器。