NTTFD9D0N06HLTWG

Name: onsemi NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD9D0N06HLTWG
Price: 22.84 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTTFD9D0N06HLTWG

制造商编号：

NTTFD9D0N06HLTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

数据表:

NTTFD9D0N06HLTWG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WDFN-12
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	38 A
Rds On-漏源导通电阻:	9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	13.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	26 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTTFD9D0N06HL
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (R_DS(ON))、超低栅极电荷 (Q_g) 和低 Q_g x R_DS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Q_g 和Q_oss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。

NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET是PowerTrench®电源夹对称双通道MOSFET，采用WQFN12封装。这些器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双封装。这些器件的开关节点内部连接，能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 设计用于提供最佳功率效率。安森美 (onsemi) NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET具有低R_DS(on) 、低Q_G 和电容以及低导通/驱动器损耗。典型应用包括直流-直流转换器、通用负载点、单相电机驱动器、计算和通信