NVD5C478NLT4G

onsemi
863-NVD5C478NLT4G
NVD5C478NLT4G

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V DPAK EXP

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,674

库存：
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生产周期：
28 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥20.1818 ¥20.18
¥13.0741 ¥130.74
¥8.9383 ¥893.83
¥7.119 ¥3,559.50
¥6.9947 ¥6,994.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.9325 ¥14,831.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
45 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
30 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 45 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: NVD5C478NL
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 360 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NVD5C功率MOSFET

安森美半导体NVD5C功率MOSFET符合AEC−Q101标准，可为汽车应用提供强大的解决方案。NVD5C功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG和电容，可将驱动器损耗降到最低。这些单N通道MOSFET采用紧凑型表面贴装DPAK封装，无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。
了解详情

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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