NXH011F120M3F2PTHG

onsemi
863-H011F120M3F2PTHG
NXH011F120M3F2PTHG

制造商：

说明：
MOSFET模块 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

寿命周期:
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥1,053.5555 ¥1,053.56
¥1,042.3007 ¥10,423.01
100 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Press Fit
PIM-34
N-Channel
1.2 kV
105 A
16 mOhms
- 10 V, + 22 V
2.72 V
- 40 C
+ 175 C
244 W
NXH011F120M3F2PTHG
Tray
商标: onsemi
配置: Full Bridge
下降时间: 12.6 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 12.7 ns
工厂包装数量: 20
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EliteSiC
类型: Full Bridge
典型关闭延迟时间: 110.5 ns
典型接通延迟时间: 30.9 ns
Vf - 正向电压: 5.21 V
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH0x0F120MNF1碳化硅MOSFET

onsemi STR-ECS640A-GEVK评估套件用于评估ecoSpin电机控制器ECS640A及其主要特性。这些MOSFET具有热敏电阻和压配引脚。 NXH0x0F120MNF1模块采用预涂热界面材料（TIM），无需预涂TIM选项。这些混合模块非常适合用于太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站以及工业电源等应用。NXH0x0F120MNF1模块无铅、无卤，符合RoHS指令。这些模块的储存温度范围为-40°C至150°C，工作结温范围为-40°C至175°C。 

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