NXH015P120M3F1PTG

onsemi
863-NXH015P12M3F1PTG
NXH015P120M3F1PTG

制造商：

说明：
MOSFET模块 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

寿命周期:
Mouser 的新产品
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 35

库存：
35
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在途量:
56
预期 2026/6/29
生产周期：
22
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥657.5922 ¥657.59
¥563.2146 ¥5,632.15

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
PIM-18
N-Channel
2 Channel
77 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
2.4 V
- 40 C
+ 150 C
198 W
NXH015P120M3F1PTG
Tray
商标: onsemi
配置: Half-Bridge
下降时间: 8 ns
高度: 12.35 mm
长度: 63.3 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 28
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EliteSiC
类型: Half Bridge
典型关闭延迟时间: 94 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 34.1 mm
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块

安森美  NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块包含基于半桥拓扑的8mΩ/1200V、10mΩ/1200V、15mΩ/1200V和30mΩ/1200V M3S SiC MOSFET，以及一个采用F1封装的热敏电阻。这些模块有带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂TIM的选项。 NXH0xxP120M3F1模块设计采用压配引脚，无铅、无卤，符合RoHS指令。这些电源模块用于太阳能逆变器、工业电源、电动汽车 (EV) 充电站和不间断电源 (UPS)。

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