PJQ5839E-AU_R2_002A1 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Panjit MOSFET 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
数据表
2,950库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 31 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit PJQ5839E-AU-R2-002A1
Panjit MOSFET DFN5060 P-CH 30V 31A
数据表
N/A