QH8ME5TCR

ROHM Semiconductor
755-QH8ME5TCR
QH8ME5TCR

制造商：

说明：
MOSFET 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

数据表:
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库存量: 2,745

库存：
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16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥10.5881 ¥10.59
¥6.667 ¥66.67
¥4.3957 ¥439.57
¥3.4126 ¥1,706.30
¥3.0962 ¥3,096.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.6894 ¥8,068.20
¥2.486 ¥14,916.00
¥2.4521 ¥22,068.90

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSMT-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
100 V
2 A
202 mOhms, 270 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
2.8 nC, 19.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 5 ns, 48 ns
正向跨导 - 最小值: 1.3 S, 3.2 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns, 7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns, 105 ns
典型接通延迟时间: 6 ns, 7.3 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Specification Sheets

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

QH8K双N沟道+N沟道小信号MOSFET

ROHM Semiconductor QH8K双N沟道小信号 MOSFET支持40V、60V或100V耐受电压。该系列设计用于24V输入设备，例如工厂自动化设备和安装在基站（冷却风扇）上的电机。QH8K器件包含一个低导通电阻N沟道MOSFET，与传统ROHM产品相比，导通电阻降低了58%。这样可降低元件的功耗。这些MOSFET采用小型表面贴装TSMT8封装，具有8个端子和无铅电镀。ROHM Semiconductor QH8K双N沟道小信号MOSFET非常适合用于开关和电机驱动应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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