R8019KNZ4C13

ROHM Semiconductor
755-R8019KNZ4C13
R8019KNZ4C13

制造商：

说明：
MOSFET TO247 800V N CH 19A

寿命周期:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247G-3
N-Channel
1 Channel
800 V
19 A
265 mOhms
30 V
4.5 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
Tube
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 60 ns
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

小信号双通道MOSFET

ROHM Semiconductor小信号双通道MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性。 此系列MOSFET符合RoHS标准，采用无铅电镀工艺。该双通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。此系列MOSFET适用于电机驱动器和开关等应用。

库存量: 600

库存：
600 可立即发货
生产周期：
32 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥89.9141 ¥89.91
¥50.0477 ¥500.48
¥46.1605 ¥4,616.05
¥44.9966 ¥26,997.96

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