RD3N03BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3N03BATTL1
RD3N03BATTL1

制造商：

说明：
MOSFET TO252 P-CH 80V 30A

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 1,743

库存：
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生产周期：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.5264 ¥19.53
¥12.4865 ¥124.87
¥8.6897 ¥868.97
¥7.3224 ¥3,661.20
¥6.3506 ¥6,350.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.3562 ¥13,390.50
¥5.085 ¥25,425.00

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
80 V
30 A
64 mOhms
20 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 69 ns
正向跨导 - 最小值: 13.4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 225 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

小信号双通道MOSFET

ROHM Semiconductor小信号双通道MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性。 此系列MOSFET符合RoHS标准，采用无铅电镀工艺。该双通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。此系列MOSFET适用于电机驱动器和开关等应用。

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