RGS30TSX2DGC11

ROHM Semiconductor
755-RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

数据表:
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库存量: 497

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥71.7098 ¥71.71
¥49.0533 ¥490.53
¥32.0129 ¥3,201.29
¥31.5948 ¥14,217.66
10,350 报价

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
30 A
267 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGS30TSX2D
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。RGSx0TSX2x IGBT具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))，同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。

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