RGS30TSX2GC11

Name: ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS30TSX2GC11
Price: 58.19 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RGS30TSX2GC11

制造商编号：

RGS30TSX2GC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT

数据表:

RGS30TSX2GC11 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247N-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2.1 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	267 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	500 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	450
子类别:	IGBTs
零件号别名:	RGS30TSX2

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PCN

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Specification Sheets

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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