RGS80TSX2DGC11

ROHM Semiconductor
755-RGS80TSX2DGC11
RGS80TSX2DGC11

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

数据表:
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥108.5252 ¥108.53
¥62.7037 ¥627.04
¥56.3305 ¥5,633.05
¥56.2514 ¥25,313.13
¥54.5112 ¥49,060.08
2,700 报价

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
80 A
555 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGS80TSX2D
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。RGSx0TSX2x IGBT具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))，同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。

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