RGSX5TS65EHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65EHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65EHRC11
Price: 86.3 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RGSX5TS65EHRC11

制造商编号：

RGSX5TS65EHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT

寿命周期:

NRND:

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数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥97.519	¥97.52
	¥59.551	¥595.51
	¥50.8726	¥5,087.26
450	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247N-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2.15 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	114 A
Pd-功率耗散:	404 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	450
子类别:	IGBTs
零件号别名:	RGSX5TS65EHR

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