RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 11.49 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RQ3G120BJFRATCB

制造商编号：

RQ3G120BJFRATCB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

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数量	单价	总价
	¥12.9837	¥12.98
	¥8.2264	¥82.26
	¥5.4805	¥548.05
	¥4.4861	¥2,243.05
	¥4.4183	¥4,418.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.7516	¥11,254.80
	¥3.7177	¥22,306.20
	¥3.5821	¥32,238.90
	¥3.5595	¥85,428.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSMT-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	48 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	15.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	40 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	9.8 ns
正向跨导 - 最小值:	6.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.7 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	36 ns
典型接通延迟时间:	6.7 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RQ3xFRATCB功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET是AEC-Q101合规汽车级MOSFET。这些MOSFET具有-40V至100V漏源电压范围、8个端子、高达69W功耗以及 ±12A 至 ±27A的连续漏极电流。RQ3xFRATCB功率MOSFET有N沟道和P沟道供选择。这些功率MOSFET采用小型3.3mmx3.3mm HSMT8AG封装。RQ3xFRATCB功率MOSFET非常适用于高级辅助驾驶系统（ADAS）、信息娱乐、照明和车身。