RQ3G270BJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RQ3G270BJFRATCB
RQ3G270BJFRATCB

制造商：

说明：
MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

寿命周期:
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数据表:
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库存量: 3,830

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥16.1251 ¥16.13
¥10.3395 ¥103.40
¥7.1303 ¥713.03
¥6.0342 ¥3,017.10
¥5.1415 ¥5,141.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.3618 ¥13,085.40
¥4.1019 ¥98,445.60

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
P-Channel
1 Channel
40 V
27 A
22 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 37 ns
正向跨导 - 最小值: 11 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 126 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RQ3xFRATCB功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET是AEC-Q101合规汽车级MOSFET。这些MOSFET具有-40V至100V漏源电压范围、8个端子、高达69W功耗以及 ±12A 至 ±27A的连续漏极电流。RQ3xFRATCB功率MOSFET有N沟道和P沟道供选择。这些功率MOSFET采用小型3.3mmx3.3mm HSMT8AG封装。RQ3xFRATCB功率MOSFET非常适用于高级辅助驾驶系统（ADAS）、信息娱乐、照明和车身。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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