RQ3N025ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3N025ATTB1
Price: 9.08 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RQ3N025ATTB1

制造商编号：

RQ3N025ATTB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

寿命周期:

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数量	单价	总价
	¥10.2604	¥10.26
	¥6.4523	¥64.52
	¥4.2488	¥424.88
	¥3.3109	¥1,655.45
	¥3.0058	¥3,005.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.6103	¥7,830.90
	¥2.4182	¥14,509.20
	¥2.3278	¥20,950.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSMT-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	7 A
Rds On-漏源导通电阻:	240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	13 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	14 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	2.4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.4 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	8.6 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQxAT P沟道MOSFET

ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。此系列P沟道MOSFET的栅源电压为 ±20V。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的最大漏源导通电阻分别为240mΩ 和99mΩ 。此系列P沟道MOSFET符合RoHS标准，且不含卤素。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的漏源电压分别为-80V和-60V。该系列P沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括开关和电机驱动器。