SCS208AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS208AGC17
SCS208AGC17

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ROHM Semiconductor SCS208AGC17详情

库存量: 1,701

库存：
1,701 可立即发货
生产周期：
21 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1701的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.9899 ¥23.99
¥18.1139 ¥181.14
¥18.0348 ¥18,034.80
2,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
8 A
650 V
1.55 V
30 A
160 uA
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
Pd-功率耗散: 68 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 1000
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
零件号别名: SCS208AG
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor TO-220ACG 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 的反向电压范围为650V至1200V，连续反向电流范围为1.2µA至20.0µA。这些器件采用碳化硅技术，使其能够保持低电容电荷 (QC)，从而降低开关损耗，同时实现高速开关操作。此外，与基于硅的快速恢复二极管（反向恢复时间随着温度的增加而增加）不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而实现更佳性能。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。