SCS208AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS208AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS208AGC17
Price: 43.85 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

755-SCS208AGC17

制造商编号：

SCS208AGC17

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220ACG-2
配置:	Single
If - 正向电流:	8 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.55 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	30 A
Ir - 反向电流 :	160 uA
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
Pd-功率耗散:	68 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	1000
子类别:	Diodes & Rectifiers
零件号别名:	SCS208AG

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Specification Sheets

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合规代码

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor TO-220ACG 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 的反向电压范围为650V至1200V，连续反向电流范围为1.2µA至20.0µA。这些器件采用碳化硅技术，使其能够保持低电容电荷 (Q_C)，从而降低开关损耗，同时实现高速开关操作。此外，与基于硅的快速恢复二极管（反向恢复时间随着温度的增加而增加）不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而实现更佳性能。