SCS212AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS212AGC17
SCS212AGC17

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen

寿命周期:
NRND:
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数据表:
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库存量: 830

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥53.7654 ¥53.77
¥29.6173 ¥296.17
¥27.1313 ¥2,713.13
¥25.6397 ¥12,819.85

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
12 A
650 V
1.55 V
43 A
240 uA
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
Pd-功率耗散: 93 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 1000
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
零件号别名: SCS212AG
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor TO-220ACG 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 的反向电压范围为650V至1200V，连续反向电流范围为1.2µA至20.0µA。这些器件采用碳化硅技术，使其能够保持低电容电荷 (QC)，从而降低开关损耗，同时实现高速开关操作。此外，与基于硅的快速恢复二极管（反向恢复时间随着温度的增加而增加）不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而实现更佳性能。

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