SCS240AE2HRC11

ROHM Semiconductor
755-SCS240AE2HRC11
SCS240AE2HRC11

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 AECQ

ECAD模型:
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库存量: 506

库存:
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¥-.--
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数量 单价
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¥124.5712 ¥124.57
¥76.2637 ¥762.64
¥67.4158 ¥6,741.58
¥64.8507 ¥29,182.82
25,200 报价

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
Dual
40 A
650 V
1.55 V
130 A
400 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
商标: ROHM Semiconductor
Pd-功率耗散: 270 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 450
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
零件号别名: SCS240AE2HR
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍,而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍,因此,SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻,以及较高的工作温度,进而可降低功耗,缩小模块尺寸。此外,设计时所需要的元器件数也更少,降低了设计复杂度。

AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC肖特基势垒二极管可提供600V的击穿电压,这个值远超过了硅SBD(肖特基势垒二极管)的上限。AEC-Q101二极管采用SiC材料,是PFC电路和逆变器的理想选择。此器件采用的技术降低了反向恢复电荷与开关损耗,可以最大程度缩小终端产品尺寸。它拥有650V-1200V的反向电压范围,1.2uA-260uA的连续正向电流,以及48W-280W的总功耗,采用TO-220、TO-247和TO-263封装,可在最高+175°C的高温环境下工作。